RAM máy tính (Random Access Memory)

RAM máy tính (Random Access Memory) là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên được sử dụng trong toàn bộ các hệ thống máy tính cá nhân hoặc các hệ thống máy tính nói chung. RAM có chức năng ghi lại dữ liệu nhiều lần trong một khoảng thời gian ngắn tính bằng miligiây (ms). RAM thường mất hết dữ liệu lưu chứa khi ngừng cung cấp điện năng cho chúng.

RAM là một thành phần rất quan trọng quyết định đến sự làm việc của một chiếc máy tính. Có lẽ rằng đa số những người sử dụng máy tính đều nhắc tới RAM và tính năng của chúng trong việc làm tăng hiệu suất làm việc, nhưng hiểu sâu về chúng thì con số đó lại không nhiều.

RAM là một đề tài đã được nói đến rất nhiều trong các entry, các mục từ trong từ điển hay như các các topic của diễn đài, thiết tưởng không còn gì cần phải nói thêm về nó, nhưng có lẽ rằng với tham vọng viết về các bộ phận của một chiếc máy tính thì tôi cũng cố viết entry này theo cách riêng của mình.

Xin lưu ý rằng tôi coi như bạn sẽ đọc các phần tài liệu tham khảo (dạng liên kết có thể truy cập bằng Internet được) nên có thể bỏ qua nhiều phần đã có ở các tài liệu hoặc chú thích được dẫn trong entry này. Cũng như các entry khác thì entry này không được sao chép nguyên văn bất kỳ đoạn nào ở đâu đó trên Internet (^_^).

Tại sao lại gọi là "Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên" ?

Các loại RAM động (cổ điển); [Nguồn ảnh]

Bạn có thể thấy phần định nghĩa ở trên nói rằng RAM là viết tắt của cụm từ tiếng Anh mà nội dung của nó là "Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên", vậy thì tại sao lại phải là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên? Thế thì có cái gì là không truy cập ngẫu nhiên được không?

Bộ nhớ là đã nói đến một cái gì đó để có thể lưu trữ lại những thông tin đã xảy ra. Chúng ta gặp nhiều về chúng: Những chiếc đĩa hát cổ điển, những băng cát xét có độ dài 60 phút hoặc 90 phút rất thông dụng trong một thập kỷ trước, những chiếc đĩa compact (CD, DVD...) ngày nay. Trong máy tính thì bạn còn gặp một dạng bộ nhớ thông dụng nữa là cái ổ cứng.

Trong nhóm những thiết bị (hoặc những thứ) nói ở trên cũng được phân thành hai loại: Truy cập tuần tự và truy cập ngẫu nhiên.

Sự truy cập tuần tự có nghĩa là muốn lấy một dữ liệu nào đó thì bạn phải lấy dữ liệu trước đó, xong mới đến dữ liệu tiếp theo mà không thể nào lấy đúng dữ liệu mình mong muốn một cách ngay lập tức được. Tiêu biểu cho dạng này là các đĩa nhựa cổ điển ghi âm thanh và băng từ. Lấy ví dụ ở băng từ cát xét thì bạn muốn nghe một bài hát nào đó đã được ghi lại thì chỉ có cách: Hoặc nghe lần lượt đến bài yêu thích, hoặc là "tua" đi đến một đoạn nào đó mà bạn nghĩ rằng nó sẽ chứa bài hát yêu thích của bạn. Đây chính là cách tuần tự.

Còn truy cập ngẫu nhiên là sao? Đó là bạn có thể truy cập ngay lập tức vào dữ liệu muốn lấy. Ví dụ đơn giản cho điều này là bạn đọc một cuốn sách nào đó, mà cuốn sách này thì có mục lục trình bày rất rõ ràng, vậy thì việc bạn muốn đọc một phần nào đó thì chỉ cần xem mục lục rồi giở ra đúng trang mình cần để đọc nội dung. Đĩa cứng, đĩa quang...cũng có các cách như vậy để có thể truy xuất dữ liệu một cách ngẫu nhiên, làm giảm thời gian làm việc với các dữ liệu của nó.

Và như vậy thì RAM máy tính cũng thuộc một dạng bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên. Đây là những khái niệm mở đầu mà thôi, ở phần sau có lẽ rằng bạn sẽ thấy sự truy cập ngẫu nhiên là như thế nào trong cách làm việc của RAM.

CPU liên quan thế nào với RAM?

RAM rất quan trọng trong sự hoạt động của CPU bởi tốc độ của nó. Để biết được điều này xin xem lưu đồ mà CPU đã muốn lấy dữ liệu như thế nào trong quá trình xử lý của mình

• CPU thì chỉ xử lý trên các dữ liệu. Nó không tự sinh ra dữ liệu để phục vụ cho mình nên nó luôn cần đến dữ liệu nhị phân ở đâu đó cung cấp cho nó.
• CPU đòi hỏi RAM ở cache của nó theo thứ tự cache L1 gần nhân CPU nhất, cache L2.
• Nếu cache không thấy, nó đòi hỏi ở RAM chính của hệ thống - tức là các modul RAM mà được nói đến như mục đích chính của entry này.
• Nếu dữ liệu đó ở RAM không sẵn có, nó đòi hỏi ở các dạng lưu trữ khác xa hơn: Ổ cứng, Ổ quang, các loại thiết bị nhớ USB flash...

Do đòi hỏi của CPU nên RAM là bộ nhớ được coi là chính trong hệ thống. Với mỗi sự phát triển của công nghệ CPU thì càng ngày càng cần sự vận chuyển dữ liệu giữa CPU và RAM nhanh hơn, do đó quá trình phát triển của RAM cũng rất sôi động không kém gì đối với sự phát triển của công nghệ CPU.

SỰ HOẠT ĐỘNG CỦA RAM

RAM thì về cơ bản chúng được phân thành hai loại dựa trên nguyên lý chứa dữ liệu của nó, đó là RAM tĩnh và RAM động.

RAM động

Sơ đồ mạch RAM động (cổ điển)

RAM động (Dynamic RAM) hoặc viết tắt là DRAM là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên mà trong quá trình hoạt động của nó thì dữ liệu chứa trên các đơn vị nhớ bị biến mất dần theo thời gian. Khái niệm này thì trái với RAM tĩnh mà ở phần dưới sẽ nói.

Để nói về RAM động thì cũng phải nói một chút về cơ chế của RAM hoạt động như thế nào. Bạn có thể nhìn thấy hình ảnh đầu tiên của entry này, chúng là các IC (integrated circuit) được gắn trên các thanh có nhiều tiếp điểm dành cho việc cắm vào bo mạch chủ. Như vậy thì RAM cũng không có hình dáng gì khác so với nhiều linh kiện điện tử mà bạn thường gặp, có nghĩa là chúng có các IC.

Bên trong các IC đó thì chứa rất nhiều transistor và các tụ điện. Để lưu trữ bộ nhớ thì nhất định chúng phải chứa các tín hiệu có và không hoặc nói cách khác là 0 và 1 (mà tôi đã có lần giải thích về trạng thái có và không trong entry này).

RAM động thì dùng các trasistor và các tụ điện để chứa trạng thái nhớ của nó (tức là nhớ đến trạng thái 0 hoặc trạng thái 1): Khi tụ được nạp điện thì nó ở trạng thái 1, khi tụ bị rò rỉ hoặc phóng điện làm cho mất hết điện tích chứa trên nó thì coi như nó sẽ lưu trạng thái 0. Như vậy là với mỗi một transistor và một tụ điện sẽ ghi nhớ một bit dữ liệu.

Hình minh hoạ về sự làm tươi của RAM động. [Nguồn VOZforum, phần xem thêm]

Transistor trong mạch điện (như hình) có nhiệm vụ nạp đầy điện cho tụ điện để lưu trữ một giá trị 1 (còn không nạp thì nó là giá trị 0 của bit). Nhưng không giống như các tụ điện có điện dung lớn khác mà bạn có thể đã biết thì tụ điện trong IC nhớ này chỉ có một dung lượng khá nhỏ, và chúng bị rò rỉ điện giữa hai bản cực sang nhau sau một khoảng thời gian nhỏ (cỡ vài ms). Sau một thời gian ngắn như vậy thì trasistor lại phải nạp lại điện cho tụ, và quá trình lưu trữ dữ liệu trên DRAM thì liên tục phải nạp điện - hay nói một cách khác là làm tươi dữ liệu của chúng - hoặc một cách khác là lại cấp điện vào tụ để duy trì giá trị được nhớ ở đó.

Bạn hình dung sự hoạt động này giống như một chiếc thùng bị thủng lỗ: Khi muốn duy trì một mức nước nhất định thì cần duy trì việc xả nước vào thùng, sau khi ngừng xả thì nước lại bị rò hết, nếu vẫn muốn giữ mức nước của thùng lớn hơn một giá trị nào đó (để duy trì giá trị 1) thì lại phải đổ nước vào thùng....quá trình này lặp lại liên tục. Trong DRAM thì quá trình nạp lại điện cho tụ như vậy xảy ra với một số lượng lớn lần trong một giây.

Bạn nhìn hình minh hoạ sẽ thấy một cụm gồm 4 hàng và 4 cột các phần tử nhớ. Chúng được đánh dấu theo các hàng và các cột địa chỉ để xác định vị trí nhớ dữ liệu. Nếu muốn ghi dữ liệu vào một ô nào đó thì cần xác định địa chỉ theo hàng và cột để có thể nạp điện vào tụ của địa chỉ đó. Tương tự như vậy thì khi đọc dữ liệu ra thì một mạch thuật toán sẽ so sánh các mức năng lượng còn chứa trong tụ điện để xác định giá trị mà nó đang chứa. Vậy nếu bạn thắc mắc rằng mức năng lượng này đang bị mất đi bởi sự rò rỉ điện qua tụ thì sao? Không ngại điều này, bởi vì trong kỹ thuật số thì giá trị 1 được xác định nếu như chúng lớn hơn một thông số nào đó. Chẳng hạn như thế này: Tụ điện chứa các điện tích khiến cho hiệu điện thế của nó là (ví dụ thôi nhé) 10 Vôn, chúng cứ từ từ giảm dần điện tích do bị rò rỉ xuống các mức 9 V; 8 V..cho đến 0 V. Khi này thì người ta sẽ lấy một mức giá trị nào đó để coi như trên nó tương đương với 1 - chẳng hạn cứ trên 6 V là giá trị có - tức là 1 - và dưới là giá trị không - tức là 0. Đó chính là điều mà dữ liệu được đọc ra đảm bảo không bị sai sót. Còn quá trình đọc dữ liệu sẽ luôn phải chú ý đến sự làm tươi điện tích chứa trên các tụ điện. Những điều này thì một mạch điện sẽ cần đảm bảo cho chúng làm việc đúng và tương thích.

Một ô nhớ của SRAM chứa 6 transistor [nguồn ảnh]

Trong chế độ làm việc của DRAM sẽ phải qua nhiều công đoạn cho việc đọc dữ liệu và ghi dữ liệu vào các ô nhớ. Tuy nhiên khoảng thời gian này thì không lớn, chúng chỉ tính bằng ns (nano giây, 1 ns bằng một phần một tỷ của 1 giây). Người ta đánh giá các DRAM hoạt động thông qua khoảng thời gian bắt đầu tính từ thời điểm đọc dữ liệu của một ô nhớ cho đến khi nạp dữ liệu vào ô nhớ đó. Trong một ví dụ rằng một DRAM với thời gian 70 ns thì có nghĩa rằng đó là khoảng thời gian tiến trình đó hoạt động thành công (đọc dữ liệu ra và nạp dữ liệu vào).

RAM tĩnh

RAM tĩnh (Static RAM, viết tắt SRAM) thì không có cơ chế làm việc giống như RAM động (DRAM) ở trên. Việc ghi nhớ dữ liệu thì không sử dụng các tụ điện nữa mà chúng sử dụng một tổ hợp đến 6 transistor cho một ô (cell) nhớ.

4 transistor trong hình minh hoạ bên phải về SRAM làm nhiệm vụ lưu trữ trạng thái 0 hoặc 1 trong một mạch nghịch đảo. Hai transistor còn lại thì làm nhiệm vụ kiểm soát việc đọc và ghi dữ liệu vào mạch. Rõ ràng rằng trong sơ đồ này thì chúng ta không nhìn thấy sự hiện diện của các tụ điện - và do đó thì chúng không bị biến mất điện tích được nạp ở các tụ điện. Đây là lý giải mà người ta đặt tên loại RAM này là RAM tĩnh.

Một mặt khác thì do không sử dụng tụ điện nên RAM không cần phải có sự nạp điện nhằm tránh sự rò rỉ điện tích giữa các bản cực, vậy nên bỏ qua yếu tố này thì tốc độ của RAM tĩnh tăng lên đáng kể. Nhưng chúng thì nhiều linh kiện hơn nên trong một đơn vị diện tích (so với RAM động) sẽ chứa được ít bộ nhớ hơn và do đó thì tổng thành sản xuất sẽ cao hơn RAM động (DRAM).

RAM tĩnh vs RAM động?

Cache L2 (loại SRAM) chiếm 1/3 diện tích một CPU Pentium !!! (đời cũ). Các CPU mới có thể chiếm diện tích nhiều hơn.

RAM tĩnh chỉ được sử dụng cho những vị trí cần làm việc với tốc độ cao, một ví dụ là chúng là bộ nhớ cache nằm bên trong các CPU. Trái ngược lại với RAM tĩnh thì RAM động được sử dụng trong các loại bộ nhớ chính của máy tính thông thường. Phần nhiều là chúng ta biết đến RAM động như hình minh hoạ đầu tiên của entry này.

Tại sao lại không sử dụng RAM tĩnh thay cho RAM động để làm các modul cho máy tính ngày nay? Có vẻ như chúng đắt quá chăng? Điều này thì không hợp lý, bởi vì giá thành của RAM tĩnh có cao đến mấy thì chúng vẫn có thể được một số người sử dụng cao cấp chấp nhận, và dần dần thì việc bán được nhiều sản phẩm sẽ hạ giá thành sản xuất. Có lý do khác hơn: đó là dện tích mà RAM tĩnh chiếm dụng bởi 6 transistor so với một cặp một transistor và một tụ điện. So sánh điều này có nghĩa là RAM tĩnh có mật độ linh kiện cao hơn nhiều so với RAM động. Thật vậy, với cùng một diện tích thì RAM động có thể chứa một dung lượng 64 MB nhưng với RAM tĩnh thì chỉ là 2 MB.

Điều này khiến cho bạn giải toả được thắc mắc rằng tại sao lại không làm cách cache của CPU có dung lượng cao lên. Qua các hình ảnh về cache của CPU thì dễ thấy rằng chúng chiếm đến 1/3 diện tích của toàn bộ lõi CPU.

PHÂN BIỆT MỘT SỐ TÊN CỦA RAM

Thế nhưng các loại RAM không chỉ có hai loại RAM tĩnh và RAM động được nêu ở trên, chúng đã được phát triển thành rất nhiều loại khác nhau cho đến ngày nay khiến cho bạn bối rối về chúng. Do vấn đề chi phí sản xuất và sự chiếm dụng các khoảng không gian nên RAM tĩnh không được phát triển thành các modul RAM để ta có thể thay thế, nâng cấp với ưu thế về tốc độ, chỉ còn sự biến đổi công nghệ của RAM động - tức là các loại DRAM cho đến ngày nay.

Thời điểm mà các loại RAM được sử dụng, tính đến 2006

Nhìn vào biểu đồ về thời điểm bắt đầu sử dụng của một số loại RAM như hình bên trái, bạn sẽ nhận thấy có nhiều loại. Biểu đồ đó không được vẽ cho đến thời điểm hiện tại - tức là thời điểm đã xuất hiện DDR3 SDRAM, vậy thì làm cách nào bạn phân biệt được chúng để có thể biết được chiếc máy tính của mình đang dùng loại RAM nào, khi nâng cấp thay thế thì loại RAM đó đã còn được bán trên thị trường hay không hay như một chút xíu cơ bản về chúng như thế nào mà lại có sự khác nhau cần phân biệt.

Phần dưới đây xin trình bày một chút hiểu biết của tôi để phân biệt tên gọi của một số loại RAM thông dụng đã từng được sử dụng gần đây mà có thể bạn đã biết đến tên của chúng hoặc đã sử dụng nó trong chiếc máy tính của mình.

SDRAM

Bạn có thắc mắc rằng tại sao lại có thêm một chữ S vào phía trước của DRAM hay không? Đó chính là điểm mà tôi trình bày ở phần dưới đây để tránh sự thắc mắc rằng loại RAM động đã được nói ở phía trên chính là các thanh RAM ngày nay mà chúng ta đang nhìn thấy. Qua cái SDRAM này thì lại còn vài sự lằng nhằng nữa cho đến các loại RAM mới nhất ngày nay.

Chữ S này là viết tắt của Synchronous, có nghĩa là "đồng bộ". Vậy tổng thể của SDRAM là: Synchronous Dynamic Random Access Memory.

Mặc dù DRAM thì xuất hiện vào những năm 1970 bởi IBM thì đến năm 1993 SDRAM mới được sử dụng trong các máy tính cá nhân. Sự mở đầu của loại RAM này được Samsung giới thiệu loại SDRAM KM48SL2000 của mình. Nhằm tránh sự phát triển các loại bộ nhớ theo các kiểu định dạng khác nhau tuỳ theo công nghệ của các hãng thì hiệp hội JEDEC đã thống nhất chung các công nghệ về SDRAM (cũng như các loại công nghệ khác) nhằm có sự tương thích tối đa giữa các hãng sản xuất phần cứng khác nhau. Về sau này thì các loại SDRAM được phát triển cho đến hiện nay (DDR3 SDRAM) cũng tuân theo sự thống nhất chung theo nó.

Tuy nhiên không phải hoàn toàn các hãng cũng đã tuân thủ nghiêm ngặt tiêu chuẩn theo JEDEC, ví dụ loại DDR2 SDRAM theo quy định thì chỉ làm việc với bus lớn nhất ở 800 Mhz, nhưng một số hãng còn cho phép nó chạy với bus cao hơn - chẳng hạn ở 1066 Mhz để làm hài lòng các overcloker.

Nếu như bạn đọc phần trên và nhận thấy rằng RAM động (DRAM) thì cố gắng thực hiện những sự đáp ứng nhanh nhất về tốc độ làm việc của chúng đối với hệ thống thì với SDRAM thì chúng lại không như thế, chúng chú trọng đến sự làm việc đồng thời so với các xung nhịp dữ liệu được vận chuyển của bus hệ thống.

SDR SDRAM

Chu kỳ dữ liệu ở SDR SDRAM và DDR SDRAM (ký hiệu mũi tên)

Bây giờ thì có vẻ lần này lại mọc thêm mấy chữ nữa vào RAM rồi nhỉ, và chúng có vẻ lặp lại và giống nhau khiến cho bạn có thể cảm thấy khó nhớ chúng. SDR lại là viết tắt của Single Data Rate.

Điều này có vẻ như là phức tạp nếu giải thích đúng cho những phương thức hoạt động của nói đối với cả tôi và bạn. Có một hình ảnh minh hoạ bên mà bạn có thể dễ hiểu về sự khác nhau giữa chúng.

Trong hình này thì phần đồ thị phía bên trên của hình là SDR, được giải thích rằng chỉ có một sự chuyển đổi dữ liệu trong một xung nhịp. Dữ liệu được nói đến ở đây được biểu thị theo chiều của mũi tên. Như vậy thì một chu kỳ SDR SDRAM sẽ chỉ vận chuyển một lần dữ liệu mà thôi.

Tuy nhiên đây là cách giải thích mang tính thuận lợi cho sự hiểu biết, còn lại phương thức làm việc thì không phải rằng mỗi một xung nhịp đồng hồ của hệ thộ thống thì ở SDR sẽ mang một lần dữ liệu, còn DDR lại mang đến gấp đôi số lần dữ liệu, bởi vì cơ chế hoạt động của nó khá phức tạp mà có lẽ bạn sẽ hiểu dần ở các mục khác phía dưới.

DDR SDRAM

Cũng như phần trên, bây giờ chỉ cần thay một chữ S thành chữ D (so với trên) để chúng ta có một loại RAM mới. Đó là Double data rate (DDR) SDRAM.

Nhìn vào hình minh hoạ thì bạn thấy rằng trong cùng một xung nhịp như nhau thì DDR SDRAM có hiệu quả gấp đôi so với hoạt động của SDR SDRAM. Ở SDR SDRAM thì với mỗi một xung nhịp (clock) RAM chỉ chuyển một lần dữ liệu, nhưng ở DDR SDRAM thì trong một xung nhịp nó chuyển 2 lần dữ liệu (cả ở chiều lên và chiều xuống của biểu đồ trên). Đây là một cải tiến đáng kể và làm giảm bớt sự khó khăn của tốc độ RAM khi mà không cần phải tăng gấp đôi tần số bus hệ thống mà băng thông vẫn đạt được ở mức cao, đáp ứng các nhu cầu xử lý nhanh của các CPU hiện đại.

Do hiệu quả như vậy nên DDR SDRAM thường ghi bus của mình tăng gấp đôi so với bus làm việc thực của hệ thống, ví dụ như DDR400 thì tần số bus thực với nó cũng chỉ ở 200 Mhz.

DDR2 SDRAM

Với những sự phát triển của các CPU mà khả năng xứ lý ngày càng nhanh thì DDR SDRAM không còn đáp ứng được các yêu cầu về băng thông cung cấp cho CPU nữa (xem bảng bên) thì DDR2 SDRAM ra đời.

DDR2 SDRAM là sự cải tiến của DDR SDRAM, chúng tuy không là một sự thay đổi mang tính đột phá (như giữa DDR và SDR) nhưng cũng cải thiện đáng kể về tốc độ và băng thông. Theo bảng bên thì DDR2 bắt đầu với bus 400, tức là ở tốc độ cuối cùng của DDR.

DDR2 cũng có thêm các sự cải tiến về các đường tín hiệu mà biểu hiện cụ thể là chúng sử dụng đến 240 chân so với 184 chân ở DDR.

Nếu như nhìn vào hình bên dưới thì có vẻ như sau một sự phát triển: Từ khi chuyển từ SDR SDRAM lên DDR SDRAM thì băng thông tăng lên đáng kể nhờ sử dụng gấp hai lần truyền dữ liệu trong một xung nhịp đồng hồ. Loại DDR2 lại có số lần chuyển đổi tăng lên gấp 2 lần nữa? và như vậy thì hiệu quả tăng lên gấp đôi. Nhưng thực ra cùng có một xung nhịp lõi, nhưng xung nhịp vận hành trong DDR2 đã tăng lên gấp đôi so với trước.

So sánh trực quan ba loại bộ nhớ: SDR SDRAM (trên cùng), DDR SDRAM, và DDR2 SDRAM (dưới). Xin lưu ý rằng hình minh hoạ này không phải là sự so sánh các loại RAM khác nhau vì chúng có các so sánh lệch (^_^)

Tại sao lại nói rằng đó là xung nhịp lõi của DDR2? Bởi vì cũng giống như DDR thì chúng đã sử dụng xung nhịp của hệ thống để làm xung nghịp hoạt động của bản thân chúng trong việc giao tiếp với các ô nhớ bên trong. Nhưng đối với DDR2 thì một xung nhịp tần số chúng sẽ sử dụng gấp đôi lần sự hoạt động của các ô nhớ bên trong. Điều này có nghĩa rằng cho dù thực chất thì việc vận chuyển dữ liệu đến CPU không tăng lên gấp đôi nhưng chúng đã có thể chuyển một phần dữ liệu ra sẵn ra bộ đệm của chính mỗi modul RAM để có thể đợi xung nhịp kế tiếp CPU sẽ lấy dữ liệu được nhanh hơn. (đây là các cách nói đơn giản để bạn dễ hình dung và so sánh về cách hoạt động của các loại RAM, thực chất thì vấn đề này rất phức tạp và đòi hỏi phải có chuyên môn cao về điện tử thì mới có thể hiểu thấu đáo về chúng).

DDR2 cũng giảm công suất tiêu thụ điện năng so với DDR, điện áp sử dụng cũng từ 2,5 V (ở loại DDR SDRAM) xuống còn ở mức 1,8 V.

Standard name	Memory clock	Cycle time	I/O Bus clock	Data transfers per second	Module name	Peak transfer rate
DDR-200	100 MHz	10 ns	100 MHz	200 Million	PC-1600	1.600 MB/s
DDR-266	133 MHz	7.5 ns	133 MHz	266 Million	PC-2100	2.100 MB/s
DDR-300	150 MHz	6.67 ns	150 MHz	300 Million	PC-2400	2.400 MB/s
DDR-333	166 MHz	6 ns	166 MHz	333 Million	PC-2700	2.700 MB/s
DDR-400	200 MHz	5 ns	200 MHz	400 Million	PC-3200	3.200 MB/s
DDR2-400	100 MHz	10 ns	200 MHz	400 Million	PC2-3200	3.200 MB/s
DDR2-533	133 MHz	7.5 ns	266 MHz	533 Million	PC2-4200 PC2-4300	4.266 MB/s
DDR2-667	166 MHz	6 ns	333 MHz	667 Million	PC2-5300 PC2-5400	5.333 MB/s
DDR2-800	200 MHz	5 ns	400 MHz	800 Million	PC2-6400	6.400 MB/s
DDR2-1066	266 MHz	3.75 ns	533 MHz	1066 Million	PC2-8500 PC2-8600	8.533 MB/s
DDR3-800	100 MHz	10 ns	400 MHz	800 Million	PC3-6400	6.400 MB/s
DDR3-1066	133 MHz	7.5 ns	533 MHz	1066 Million	PC3-8500	8.533 MB/s
DDR3-1333	166 MHz	6 ns	667 MHz	1333 Million	PC3-10600	10.667 MB/s
DDR3-1600	200 MHz	5 ns	800 MHz	1600 Million	PC3-12800	12.800 MB/s

DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM (Double Data Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory) là thế hệ kế tiếp của DDR2 SDRAM.

Sự thắt cổ chai thường nói đến trong sự sử dụng MCH của Intel. Xem thêm sơ đồ khối ở entry Bo mạch chủ.

DDR3 SDRAM có các ưu điểm cải tiến sau so với DDR2 SDRAM^[1]

• Băng thông cao hơn bởi tần số làm việc cao hơn. Chúng là loại kế tiếp cho DDR2 khi mà bus vượt qua 800 Mhz.
• Giảm tiêu thụ điện năng bởi sử dụng công nghệ chế tạo 90 nm cho các chip nhớ (điều này không so sánh trong công nghệ sản xuất CPU đã ở mức 45 nm).
• Bộ đệm được tăng gấp đôi so với DDR2, tức là tới 8 bit để gia tăng hiệu năng hoạt động (DDR2 thì sử dụng 4 bit).

Mức điện áp được quy định với DDR3 bởi JEDEC (JESD 79-3B vào tháng 4/2008^[2]) là 1,5V, nhưng nó cũng phải chịu đựng được điện áp từ 1,575 V cho đên đến 1,975 V mà không gây ra hư hỏng. Đây quả là tin vui đối với các tay overclocker bởi vì tăng điện áp là một trong số các phương thức đã được sử dụng nhiều trong kỹ thuật ép xung.

Chuẩn DDR3 cho phép sử dụng với các chip nhớ có dung lượng từ 512Mb cho đến 8Gb, mỗi modul (tức mỗi một thanh RAM) có thể có dung lượng lên tới 16 GB. Gần đây thì một số hãng đã trình diễn các modul này trong một máy chủ (hình minh hoạ phía dưới).

Cho đến nay DDR3 SDRAM được coi là công nghệ bộ nhớ động mới nhất thông dụng cho các máy tính theo họ IBM-PC. Ở thời điểm tháng 09/2008 một số hãng đã công bố về loại DDR3-2500 có băng thông lên tới đến 2,5 Gbps^[3] hoặc như hãng Kingston vào tháng 11/2008 đã công bố bộ kit 3 thanh RAM dành cho các bộ xử lý thế hệ mới (i7) mà RAM này hoạt động với xung nhịp 2 GHz^[6]

RDRAM

RDRAM (Rambus DRAM) khi mà loại RAM này đã có mặt một thời trên các loại PC cao cấp vào những năm 1999 đến 2002. Rambus đã chết yểu sau này khi mà Intel đã hợp đồng hỗ trợ cho nó kể từ năm 1996 cho đến năm 2001. Sau năm 2001 thì Intel vẫn tiếp tục hỗ trợ Rambus nhưng các chipset của hãng này lại bắt đầu hỗ trợ các loại DDR SDRAM là công nghệ mới hơn. Do vậy Rambus đã không còn con đường nào phát triển trong tương lai của PC nữa.

CÁC THÔNG SỐ VỀ RAM

Một modul chứa nhiều chip nhớ như thế này

Nguyên lý của RAM được sắp xếp theo dạng: Hàng và cột để xác định địa chỉ các ô nhớ. Trong sơ đồ này có hai dạng bus quan trọng: Bus địa chỉ yêu cầu ô nhớ và Bus dữ liệu nhận về.

Có lẽ là sẽ sai lầm nếu không có mục về các thông số về RAM bởi vì ngoài ba thông số chính: Loại RAM, bus và dung lượng của chúng thì còn lại các thông số về các chế độ làm việc của chúng. Chính nhờ các thông số nhỏ mà người sử dụng thường ít biết đến này mới tạo ra các thương hiệu khác nhau trong ngành công nghệp sản xuất RAM.

Trước khi giải thích về các thông số này thì cũng cần nhắc lại rằng RAM được chia thành các ô nhớ (cell) mà chúng có thể chứa một cặp transistor và một tụ điện đối với loại RAM động (còn đối với RAM tĩnh thì chúng gồm 6 transistor cho một ô nhớ). Ma trận tập hợp các ô nhớ đó mới có thể tạo thành một cụm bộ nhớ của RAM. Mỗi hàng trong ma trận đều có địa chỉ để cụm điều khiển bộ nhớ có thể biết được chúng để lấy dữ liệu.

Ở đây có sự liên quan đến sự làm việc tổng thể của ô nhớ. Bạn có thể nhìn vào hình phía gần đầu của entry này để nhận ra rằng các hàng và cột có mạch điện được nối chung nhau, địa chỉ được kích hoạt tại ô này thì đến ô kế tiếp cùng chung số hàng cũng phải chờ đợi bởi vì trong cách quản lý dữ liệu toàn bộ các ô trong ma trận như vậy thì không thể đồng thời lấy toàn bộ chúng được. Cách thức làm việc này có vẻ giống như sự xuất hiện điểm ảnh ở trên màn hình máy tính nhưng ở bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên thì chúng không thể tuần tự như việc xuất hiện điểm ảnh.

Chúng ta có một số từ viết tắt sau liên quan:

• RAS (Row Address Strobe): Tín hiệu địa chỉ hàng
• CAS (Column Address Strobe): Tín hiệu xác định địa chỉ cột.

Chúng ta có 4 thông số rất hay được nhắc đến bởi giới thông thạo phần cứng máy tính như sau:

1. CAS Latency

CAS Latency (Column Access Strobe Latency), hoặc còn gọi là tCL hay viết tắt nữa là CL: là khoảng thời gian tính từ khi yêu cầu gửi dữ liệu cho đến khi dữ liệu bắt đầu chuyển đến đầu ra của RAM.

Thông số này rất quan trọng đối với RAM bởi vì nó phần nào quyết định đến hiệu năng làm việc của hệ thống. Người ta thường nói đến RAM với tham số CL3, CL4, CL5...chính là tham số này.

Giá trị của CAS được tính bằng xung nhịp đồng hồ (mà xung nhịp đồng hồ thì tính theo Hz, có nghĩa là chu kỳ).

Trong hình minh hoạ dưới đây có 2 minh hoạ về các tCL khác nhau: Nếu tính theo thứ tự từ trên xuống dưới thì ở đồ thị trên cùng chỉ đến xung nhịp đồng hồ, lệnh đọc dữ liệu, thời gian đáp ứng dữ liệu ở modul sử dụng CL3 và với CL5.

Hình minh hoạ này thật đơn giản cho cách hiểu của bạn: Nếu như có sự đòi hỏi đọc một ô chứa dữ liệu thì đối với loại RAM có CL = 3 thì phải sau 3 chu kỳ chúng mới đáp ứng dữ liệu ở data bus. Tương tự, đối với CL = 5 thì cũng cần đến 5 chu kỳ. Nếu bạn đếm các ô nhấp nhô thấy chúng tăng gấp đôi so với 3 hoặc 6 thì cũng cần xem lại định nghĩa về "chu kỳ" ở liên kết ngoài phía bên trên - và có nghĩa ở đây chu kỳ là hai lần cái dạng xung vuông nhấp nhô đó.

Như vậy, bạn có thể nhận ra rằng chỉ số CL càng thấp thì càng tốt cho hiệu năng máy tính. Lý do đơn giản rằng thời gian đọc dữ liệu từ RAM của CL với trị số thấp sẽ nhanh hơn đối với RAM có tham số CL có trị số cao. Nếu như nhìn vào các bảng giá bán của các loại RAM có chỉ số CL khác nhau thì bạn sẽ nhận thấy rằng thanh RAM có CL thấp sẽ có giá cao hơn (có thể gấp nhiều lần) so với thanh RAM có trị số CL cao như thông thường.

Cũng qua đây bạn nhận thấy rằng không phải trong máy tính cứ có tốc độ xử lý cao là tốt, các thông số hoạt động khác của phần cứng (mà đặc biệt là RAM) cũng ảnh hưởng đến đến hiệu năng của toàn bộ hệ thống.

2. RAS to CAS Delay

RAS to CAS Delay (Row Access Strobe to CAS Delay), hoặc còn gọi là tRCD: Là khoảng thời gian trễ kể từ khi có tín hiệu về địa chỉ hàng cho đến khi có tín hiệu về địa chỉ cột khi mà hệ thống cần truy xuất một ô địa chỉ nhớ.

Khi cần lấy giá trị ở một ô nhớ, bus địa chỉ sẽ cung cấp các thông số về toạ độ các ô nhớ đó với các RAS và CAS, tuy nhiên không phải là hai tín hiệu này đi đồng thời với nhau đến với chip nhớ. Xem hình nguyên lý hoạt động dưới đây ta sẽ nhận thấy khoảng thời gian tRCD này

(1) Bus địa chỉ gửi một RAS (2) đến bộ điều khiển về hàng, từ đây chúng kích hoạt trạng thái hoạt động (active) của toàn bộ hàng có cùng RAS đó. Bus địa chỉ lại bắt đầu gửi một CAS để xác định địa chỉ cột (5) và CAS này (6) kết hợp với RAS trước đó (3) đã gửi thì xác định được toạ độ ô nhớ chứa dữ liệu. Sau khi xác định được thì hệ thống nhận được dữ liệu chứa trong ô nhớ đó (7) và gửi về bus dữ liệu. Đến đây hệ thống kết thúc một quy trình yêu cầu và đọc một bit dữ liệu.

Nhìn lại với hình phía bên trên thì khoảng thời gian kích hoạt RAS cho đến khi kích hoạt CAS, nó quả thật đúng với ý nghĩa của cụm từ tiếng Anh: RAS to CAS Delay.

Kích hoạt hàng	Kích hoạt cột, định vị ô nhớ và đọc dữ liệu

3. RAS Precharge Delay

RAS Precharge Delay còn gọi là tRP, là khoảng thời gian bắt đầu từ khi một hàng được kích hoạt để sẵn sàng thao tác với dữ liệu, sau đó chúng bị ngắt kích hoạt, tiếp tục kích hoạt cho một hàng kế tiếp để cho bắt dầu thao tác với một ô nhớ có toạ độ ở hàng khác so với hàng hiện tại đang thực hiện.

Như vậy thì việc thao tác với dữ liệu ở một ô khác so với hàng của ô hiện tại đang thao tác sẽ có thời gian bằng tổng của tRP + tRCD. Do cần thao tác với nhiều hàng khác nhau nên thông số này cũng ảnh hưởng đến sự làm việc của toàn hệ thống RAM.

4. Precharge Delay

Precharge Delay, hoặc còn gọi là tRAS là khoảng thời gian để khi kích hoạt dữ liệu của một hàng mà chúng vẫn có thể được đọc tại hàng này. Điều này nhằm đảm bảo rằng các linh kiện trong ô nhớ không bị quá nóng khi cung cấp dòng điện quá lâu trong một khoảng thời gian nào đó. Và do vậy thì tRAS có sự ảnh hưởng nhỏ đối với hiệu năng làm việc của hệ thống.

Đây là một thông số đáng được lưu ý trong quá trình overclocking, bởi vì nếu như thiết đặt này không được chính xác, chúng sẽ làm mất dữ liệu trong quá trình hoạt động của RAM, và do đó thì hệ thống sẽ gặp trục trặc trong phần xử lý (tức có thể bị treo cứng). Tuy nhiên trong quá trình tìm đọc các bài viết hoặc sự trao đổi trên các điễn đàn, website thì tôi nhận thấy khá nhiều nơi đã nhận thức sai về thông số này và do đó khi họ overclocking và điều chỉnh tham số này sẽ thường gặp thất bại (đa số nhận thức rằng toàn bộ các thông số càng thấp càng tốt, do đó họ cố hạ thấp thông số này). Ngay trong phần giải thích về mục này ở Wikipedia tiếng Anh cho đến ngày 14/8/2008 là không hợp lý khi nói rằng thông số tRAS là tổng của ba thông số trên. Phiên bản này viết: TRAS = Active to Precharge delay: The total time that will elapse between an active state and precharge state. This is the sum of the previous timings: CL + TRCD + TRP.

Cách thức nhận ra các thông số này

Qua bốn thông số trên thì bạn có thể dễ dàng nhận ra chúng được ghi trên hầu hết các thanh RAM. Nếu như trên thanh RAM của bạn không ghi rõ thì bạn có thể sử dụng một phần mềm để biết được các thông số này.

Vì phần mềm này rất tốt trong việc tìm hiểu các thông số phần cứng nên tôi sẽ hướng dẫn luôn tại đây: Đó là phần mềm CPU-Z (miễn phí) đã được hầu hết những người am hiểu về phần cứng sử dụng chúng.

Các thông số về CPU	Thông số RAM hiện tại
Các thông số khi chạy ở bus khác

• Bạn vào trang CPUZ.
• Tìm đến phần Versions history, trong đó sẽ có ô về phiên bản mới nhất (ví dụ đến ngày 15/9/2008 đang là phiên bản 1.47). Nhìn vào ô của bảng đó có một liên kết download phiên bản mới nhất. Ví dụ bản 1.47 thì bấm vào luôn liên kết của nó, trình duyệt sẽ tải về phiên bản 1,47 có dung lượng khoảng 572 KB.
• Tập tin này có dạng nén RAR, dùng phần mềm nào đó (chẳng hạn WinRAR) giải nén nó ra, sẽ thấy 3 tập tin khác nhau: cpuz.exe, cpuz.ini, cpuz-readme.txt
• Thực thi tập tin cpuz.exe sẽ ra một hình ảnh như sau (hình đầu tiên bên trái):

Nhãn này chỉ ghi CL4

Nhãn này cho biết thông số 5.5.5.15

Qua phần mềm này thì bạn có thể nhìn ra rất nhiều các thông số của phần cứng trên máy tính của bạn, thế nhưng các thông số ở trên ở đâu khi bạn đang ở phần hình thứ nhất bên trái (tức là bạn vừa thực thi tập tin cpuz.exe)? Hay bấm vào tab Memory để thấy các thông số này, và hãy bấm vào tab SPD (thông tin về các trạng thái hoạt động tốt được lưu lại trên ROM của RAM) để thấy ở các tần số làm việc khác nhau thì thông số này sẽ thay đổi như thế nào.

Trong ví dụ mà tôi lấy tại minh hoạ trên thì thanh RAM chạy ở bus 200 Mhz sẽ là 3-3-3-9, ở 266 Mhz sẽ là 4-4-4-12, và ở 333 Mhz sẽ là 5-5-5-15. Sở dĩ có các dải thông số trên là do thanh RAM này có thể hỗ trợ với các hệ thống sử dụng CPU khác nhau, tuỳ thuộc vào từng CPU mà nó có thể làm việc ở thông số nào.

Trên các thanh RAM thì các thông số này có thể được ghi trực tiếp đối với cả 4 thông số hoặc chỉ ghi thông số đầu tiên (xem hình bên phải)

CÁC MODUL RAM

Trong thời kỳ mà các máy tính cá nhân mới phát triển, tốc độ xử lý CPU còn chậm thì các RAM được hàn trực tiếp vào bo mạch chủ. Theo quá trình phát triển không ngừng của công nghệ, các máy tính ngày càng có tốc độ cao hơn, yêu cầu có nhiều RAM trên hệ thống, và đặc biệt phục vụ quá trình sửa chữa, thay thế hoặc nâng cấp RAM thì các loại RAM đã được tách rời khỏi bo mạch chủ thành các modul riêng biệt. Lúc này nhà sản xuất bo mạch chủ không còn độc quyền gắn RAM và cố định dung lượng của chúng được nữa.

Những modul RAM có hình dạng khác nhau. Thanh ở trên có gắn sẵn tản nh7ệt. [Nguồn ảnh]

Các modul RAM đầu tiên thì chúng không được thanh mảnh, gọn nhẹ như những gì bạn thấy trong các sản phẩm của các hãng ngày nay: Các chip nhớ có kích thước lớn (dày hơn và ít chân hơn), một mặt khác chúng có hình dạng giống như các IC nhỏ và cắm trên các tấm đế nên kích thước tổng thể của modul lớn hơn so với các modul hiện tại. Dung lượng thì lại nhỏ hơn rất nhiều lần bởi công nghệ chế tạo chưa phát triển như ngày nay. Bạn có thể so sánh hai modul có kích thước có vẻ gần như nhau nhưng một chiếc hiện đại có dung lượng 16 GB, còn chiếc kia thì lại rất nhỏ cụm hình minh hoạ phía dưới.

Thật may mắn cho ngành công nghiệp phần cứng máy tính là chúng được các hãng phát triển tuân theo những thoả thuận chung để thiết kế các linh kiện - mà gọi là các chuẩn do một tổ chức nào đó công nhận. Quy trình chuẩn hoá một công nghệ nào đó có vẻ như bắt đầu bằng các phát minh hoặc cải tiến mới của các hãng sản xuất, sau đó các hãng khác nhau cùng xem xét và có chấp nhận hay không để rồi chúng trở thành các chuẩn chung. Do quá trình phát minh luôn kèm theo bản quyền nên nhiều khi các thiết kế mới mặc dù được xem là hợp lý nhưng lại không được nhiều hãng công nhận bởi chi phí bản quyền quá cao - do đó sẽ không trở thành một chuẩn chung. Có những phát minh mới phải khá vất vả mới có thể được chấp nhận thành chuẩn nhưng con đường phát triển của nó lại khá mờ mịt vì các công nghệ hiện tại đã có thể vẫn còn lại thiết bị thoả mãn số đông của người sử dụng (ví dụng công nghệ đĩa quang Blu-ray để thay thế cho DVD).

Tôi đã viết "thật may mắn cho nghành công nghiệp phần cứng máy tính" bởi vì chúng là những thiết bị phục vụ cho con người một cách thông dụng lại được chuẩn hoá. So sánh với các công nghệ khác như: xe máy, xe hơi...đều được nhiều người sử dụng nhưng lại không được chuẩn hoá như vậy, do đó mà người sử dụng sẽ không được hưởng lợi bằng cách có thể lựa chọn từng linh kiện của nó cho chiếc xe của mình. Điều này thì hơi hài hước nếu như coi những nhà sản xuất ô tô có thể lắp lẫn các linh kiện quan trọng với nhau hoặc tạo ra các thương hiệu lớn khác nhau về động cơ, về bộ chế, về bộ làm mát, về hệ đánh lửa...cho đến những chiếc vỏ xe...Nhưng điều này sẽ làm cho giá thành chung của những chiếc xe sẽ giảm khá nhiều bởi sự cạnh tranh. Và nếu điều đó xảy ra thì tôi thấy thú vị rằng ngoại hình của những chiếc xe sẽ có vẻ giống nhau phần nào đó để chứa các thiết bị tương thích. Tuy điều khá buồn cười này không xảy ra trên xe hơi, nhưng đối với những chiếc xe máy thì bạn có thể thấy chúng dễ dàng thế nào khi thay thế các cụm thiết bị của những chiếc xe đã có thương hiệu và những chếc xe được làm nhái sản phẩm thành công trước đó - tôi thấy gần như 100% có thể thay thế lẫn nhau được.

Hình dưới đây sẽ cho thấy ngoại hình của một số loại modul RAM khác nhau:

Một thanh DDR3 SDRAM dung lượng 16 GB cho máy chủ. [Nguồn ảnh]	Một modul RAM có dung lượng 4 MB trong thời gian trước đây
Một thanh DDR3 SDRAM của Corsair có gắn tản nhiệt không quạt	Một cặp RAM có sử dụng các bộ tản nhiệt tốt giúp cho quá trình overclocking tốt hơn

Chính do sự tương thích mà các modul RAM đã có những sự tương thích nhau, giống nhau. Những loại RAM cũng loại, cùng kiểu mặc dù có thông số khác nhau (dung lượng, các thông số làm việc) thì cho dù chúng do các hãng khác nhau sản xuất nhưng vẫn có thể gắn vào các bo mạch chủ sử dụng một loại RAM đó.

Đó là những sự tương thích các RAM cùng loại đối với bo mạch chủ. Nhưng có lẽ không đảm bảo chắc chắn rằng 100% người sử dụng các PC có thể nhận biết, phân biệt các loại RAM khác nhau để có thể cắm chúng vào bo mạch chủ sao cho phù hợp, bởi các sự khác biệt nhau về công nghệ dẫn đến các đế cắm và vị trí chân tiếp xúc (pin) sẽ khác nhau ở từng loại RAM nên không thể cho phép một sự thiết kế giống nhau mà các loại RAM khác nhau có thể cùng cắm chung (chẳng hạn như SDR SDRAM cắm vừa với DDR SDRAM trên cùng một loại đế cắm). Do đó chúng phải có những thiết kế khác đi với mục đích ngăn chặn sự nhầm lẫn.

(đang viết)

DUAL CHANNEL

Kết quả Benchmark về đồ hoạ của Tom's Hardware đã cho thấy hiệu quả của dual channel không như mong đợi.

Dual channel (bộ nhớ kênh đôi) được nhắc đến nhiều trong sự hỗ trợ và sử dụng hiệu quả các loại RAM bởi thiết kế các bo mạch chủ mà cơ bản là chipset của chúng. Như vậy thì dual channel không phụ thuộc vào cách thiết kế hoặc công nghệ của RAM mà lại phụ thuộc vào cách tận dụng nó.

Dual channel sẽ khiến cho băng thông dữ liệu từ RAM đến CPU tăng lên gấp đôi so với single channel (tức là cách sử dụng RAM thông thường). Ví dụ như khi sử dụng single channel DDR-400 thì có băng thông 3,2 GB/s nhưng khi gắn hai thanh theo chế độ dual channel thì băng thông sẽ tăng lên đến 6,4 GB/s (đây là các thông số lý thuyết).

Tuy nhiên, xét trên một mức tổng thể của các kết quả benchmark bởi Tom's Hardware thì thật bất ngờ rằng dual channel đã không tăng hiệu năng hoạt động ở một số phép thử về đồ hoạ lên nhiều so với mong đợi^[5] (lưu ý rằng các kết quả này không phản ánh bất kỳ hệ thống máy tính nào cũng như vậy, chúng chỉ đúng đối với các hệ thống có cấu hình nhất định và được đo trên các phần mềm benchmark nhất định hoặc game cụ thể nào đó. Có nghĩa là nó có thể cho kết quả khác nhau và tốt hơn trên máy tính của bạn).

Cách thức cắm các modul RAM đúng vào các khe cần thiết trên bo mạch chủ thì cần phải xem cụ thể từng phần hướng dẫn sử dụng đi kèm. Tuy nhiên có một vài điều dễ nhận ra sự chung chung như sau:

• Nếu có 2 thanh RAM giống nhau về mặt dung lượng, để cắm theo cặp dual channel với nhau, hãy cắm từ vị trí khe số 1 và số 3 (kết hợp việc sử dụng màu sắc đế cắm RAM giống nhau).
• Nếu có bốn thanh RAM thì cứ hai thanh một cặp sẽ cắm theo vị trí: Cặp đầu cắm ở 1 và 3, cặp 2 cắm ở 2 và 4.

(Lưu ý rằng cách phân biệt bằng màu sắc có thể không đúng với một vài bo mạch chủ: Ví dụ như các bo mạch chủ xuất hiện trong thời gian gần đây có thể hỗ trợ sử dụng đồng thời hai loại RAM là DDR3 và DDR2 thì cũng sử dụng màu sắc khác nhau - đó là về loại RAM chứ không phải nhằm hướng dẫn cắm dual channel)

GẮN CÁC MODUL RAM VÀO MÁY TÍNH

Tháo và lắp các thanh RAM trong các trường hợp cần thiết như nâng cấp, thay thế, hoặc đơn thuần là sửa chữa các tình trạng lỗi của máy tính là điều mà một số người quen biết với phần cứng máy tính có thể dễ dàng làm được. Đa số những người thực hiện tốt điều này là người có thể tự lắp ráp một bộ máy tính hoàn chỉnh cho dù họ có hiểu về nhiều về phần cứng hay không. Tuy nhiên nếu là lần đầu tiên tháo lắp các thanh modul RAM thì có lẽ bạn nên thực hiện như sau cho đúng bài bản.

1. Đặt vỏ máy tính nằm xuống sàn nhà hoặc mặt bàn thao tác. Mọi hành động lắp ráp RAM tại vị trí vỏ máy tính đang làm việc đều có thể dẫn đến lắp không chắc chắn, tạo các lực thừa và lào uốn vặn đối với bo mạch chủ.
2. Xác định đúng loại RAM cần gắn vào khe.
3. Xác định chiều gắn để đảm bảo vị trí tương đồng giữa rãnh khuyết của thanh RAM với vị trí lồi tương tự trong khe cắm RAM. Nếu vị trí bị lệch nhưu thì thử xoay chiều 180 độ của thanh RAM để so sánh đối chiếu. Đây là một lỗi mà nhiều người mắc phải và khiến cho thanh RAM bị chập cháy (có thể bo mạch chủ cũng bị hư hỏng trong trường hợp này).
4. Đặt nhẹ và vuông góc thanh RAM với khe cắm
5. Ấn với lực vừa phải ở hai đầu cùng của thanh RAM xuống theo chiều vuông góc với bo mạch chủ. Khi RAM được gắn tiếp xúc thì ngoàm định vị hai bên phải được bám vào trong các vị trí tương ứng trên thanh RAM mà không cần phải ấn chúng vào.
6. Kiểm tra ngoàm định vị thanh RAM, nếu chúng chưa hoàn toàn bám chắc chắn thì tiếp tục ấn nhẹ và bấm chúng vào cho chắc chắn.

Đặt đúng khe, rãnh và ấn nhẹ theo chiều vuông góc với bo mạch chủ.	Bấm phần ngoàm định vị chắc chắn vào RAM (có thể chúng đã tự khít)

Tham khảo

RAM cho máy tính xách tay (SO DIMM) có kích thước ngắn hơn RAM cho máy tính để bàn.

How RAM Works, viết bởi Jeff Tyson và Dave Coustan (en) (Có một bản dịch tiếng Việt tại đây)

DDR3 RAM: System Memory Technology Explained, trên Benchmarkreviews.com.

Upgrading and Repairing Pcs, 17th Edition. Scott Mueller Có thể mua phiên bản mới hơn (18) tại: Amazon.com (ISBN-10: 0789736977; ISBN-13: 978-0789736970)

Chú thích

1^. What is DDR3 SDRAM? trên Tech FAQ!.

2^. JEDEC DDR3 SDRAM Standards JESD 79-3B (pdf)(en) (10,24 MB!!!)

3^. ELPIDA công bố SDRAM DDR3-2500 tốc độ 2,5 Gbps đầu tiên, Thanh Quang (Theo sina) đăng trên Thông tin Công nghệ. (19/8/2008)

4^. JEDEC DDR2 SDRAM Standards JESD 79-2E (pdf)(en) (3,81 MB).

5^. Test Results: Single Vs. Dual Channel RAM, trên Tom's Hardware, (en), 2007. (Đây là một phần mà cụ thể chỉ là trang 11 của một bài dài)

6^. Kingston công bố RAM DDR3 siêu tốc 2GHz, Thanh Quang (Theo MyDrivers) trên Thông tin Công nghệ, (11/2008)

Xem thêm

RAM và một số khái niệm căn bản, viết bởi emtraisieunhan trên VOZforums. (một số hình ảnh trong entry đã lấy từ nguồn cung cấp của trang này)

Random-access memory, mục từ trên en.wikipedia (en)

RAM máy tính và những điều cần biết, Nguyễn Thúc Hoàng Linh, đăng trên PC World VN. (2005) (Đây là phiên bản để in, xin vui lòng huỷ lệnh in xuất hiện trên máy tính của bạn)

DDR2: Công nghệ bộ nhớ mới nhiều triển vọng, Chu Đình Phú - Tạp chí BCVT & CNTT đăng trên Quản trị mạng. (2004)

Độ trễ CAS và RAS to CAS delay trong quá trình truy xuất bộ nhớ viết bởi ThangMMM trên fotech.org.

RAM Timing của DDR và DDR2, trên Tư vấn tin học 1088. (một số hình ảnh trong entry đã lấy từ nguồn cung cấp của trang này)

Intel Dual-Channel DDR Memory Architecture (pdf)(en)

Gaming Performance Analysis – 4GB vs 2GB (pdf) (en), Gareth Ogden, Corsair Memory Inc. Trong tài liệu này thì bạn sẽ nhận ra rằng dung lượng RAM đã ảnh hưởng đến sự hoạt động của hệ thống như thế nào thông qua kết quả benchmark các game hoạt động với các hệ thống 2 GB RAM và 4 GB RAM.

RAM nhái, kém chất lượng tràn ngập thị trường, Mai Huy trên VnExpress, 04/2009. (Trích: Giá chỉ thấp hơn so với RAM chính hãng từ 2 đến 3 USD, các loại sản phẩm kém chất lượng, nhái, thường hoạt động không ổn định và có hình thiết kế không khác gì hàng chính hãng)

Lời khuyên

Q4-2008- Giá DDR2 giảm, nên nâng cấp cho PC của bạn!: Entry trên blog này nói đến thời điểm cuối năm 2008 giá DDR2 rất thấp khiến cho người sử dụng sẽ có cơ hội nâng cấp RAM cho hệ thống máy tính của mình lên dung lượng lớn, tối ưu hơn đối với các ứng dụng của bạn.

Trương Mạnh An (16/9/2008)